| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSBB6066 |
| EBEE-Teilenummer | E82828498 |
| Gehäuse | DFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 60V 60A 4.4mΩ@10A 45W 1.2V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSBB6066 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.4mΩ@10A | |
| Stromableitung (Pd) | 45W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@30V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1670pF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
