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HUASHUO HSBA15810C
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSBA15810C |
| EBEE-Teilenummer | E8845605 |
| Gehäuse | PQFN-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSBA15810C | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 100A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| Stromableitung (Pd) | 208W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA |
Einkaufsleitfaden
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