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HUASHUO HSBA100P04
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSBA100P04 |
| EBEE-Teilenummer | E82987717 |
| Gehäuse | PRPAK(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 40V 100A 52.1W 4.6mΩ@10V,20A 1.8V@250uA 1 Piece P-Channel PRPAK(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $0.5606 | $ 0.5606 |
| 10+ | $0.4560 | $ 4.5600 |
| 30+ | $0.4027 | $ 12.0810 |
| 100+ | $0.3495 | $ 34.9500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSBA100P04 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 100A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 52.1W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.8V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 722pF@20V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7.09nF@20V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 115nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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