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HTCSEMI HT65NF06ATZ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HT65NF06ATZ |
| EBEE-Teilenummer | E82874952 |
| Gehäuse | TO-220AB-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 65A 15mΩ@10V,25A 120W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HTCSEMI HT65NF06ATZ | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 15mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.365nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
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