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HTCSEMI HT100NF80ASZ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HT100NF80ASZ |
| EBEE-Teilenummer | E82874956 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 80V 100A 8mΩ@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HTCSEMI HT100NF80ASZ | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 275pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 173W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.22nF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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