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hongjiacheng FDV301N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDV301N |
| EBEE-Teilenummer | E820069151 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 25V 220mA 4Ω@4.5V,0.2A 350mW 800mV 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.0415 | $ 0.4150 |
| 100+ | $0.0332 | $ 3.3200 |
| 300+ | $0.0291 | $ 8.7300 |
| 3000+ | $0.0241 | $ 72.3000 |
| 6000+ | $0.0216 | $ 129.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | hongjiacheng FDV301N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4Ω@4.5V;5Ω@2.7V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 220mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.5pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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| 100+ | $0.0332 | $ 3.3200 |
| 300+ | $0.0291 | $ 8.7300 |
| 3000+ | $0.0241 | $ 72.3000 |
| 6000+ | $0.0216 | $ 129.6000 |
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