| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HD60N08(AGF) |
| EBEE-Teilenummer | E82689027 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 80V 60A 13mΩ@10V,40A 85W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HL(Haolin Elec) HD60N08(AGF) | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 80V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 13mΩ@10V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 85W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 80pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.498nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 36nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
