| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HD100N02 |
| EBEE-Teilenummer | E82149763 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 100A 3.9mΩ@4.5V,20A 87W 700mV@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2571 | $ 1.2855 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1809 | $ 27.1350 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1396 | $ 349.0000 |
| 5000+ | $0.1320 | $ 660.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HL(Haolin Elec) HD100N02 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 100A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.9mΩ@4.5V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 87W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 700mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 265pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.8nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2571 | $ 1.2855 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1809 | $ 27.1350 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1396 | $ 349.0000 |
| 5000+ | $0.1320 | $ 660.0000 |
