| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HB3510P |
| EBEE-Teilenummer | E8271448 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HL(Haolin Elec) HB3510P | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 50A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 38mΩ@10V,15A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 275pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1489pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
