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HARRIS IRFU9110
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFU9110 |
| EBEE-Teilenummer | E83290822 |
| Gehäuse | TO-251AA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 3.1A 25W 1.2Ω@10V,1.9A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-251AA MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4191 | $ 0.4191 |
| 200+ | $0.1622 | $ 32.4400 |
| 500+ | $0.1565 | $ 78.2500 |
| 1000+ | $0.1536 | $ 153.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HARRIS IRFU9110 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,1.9A | |
| Power Dissipation (Pd) | 25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 18pF@25V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 290pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.7nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.1536 | $ 153.6000 |
