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HARRIS IRFR422
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFR422 |
| EBEE-Teilenummer | E83290912 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 4Ω 50W 4V@250uA 1 N-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5466 | $ 0.5466 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2041 | $ 102.0500 |
| 1000+ | $0.2006 | $ 200.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HARRIS IRFR422 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Continuous Drain Current (Id) | - | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω | |
| Power Dissipation (Pd) | 50W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9.6pF@25V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 350pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.2006 | $ 200.6000 |
