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Hangzhou Silan Microelectronics SVT085R5NT
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVT085R5NT |
| EBEE-Teilenummer | E82897720 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 85V 120A 160W 4.5mΩ@10V,50A 2V@250uA TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5262 | $ 5.2620 |
| 50+ | $0.4524 | $ 22.6200 |
| 100+ | $0.4225 | $ 42.2500 |
| 500+ | $0.4037 | $ 201.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVT085R5NT | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.281nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 669pF | |
| Gate Charge(Qg) | 68nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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