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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF7N65CMJ |
| EBEE-Teilenummer | E8403825 |
| Gehäuse | TO-251-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.1Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 98pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
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