Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N60F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF7N60F |
| EBEE-Teilenummer | E830446 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 600V 7A 45W 1Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>161 Auf Lager für schnelle Lieferung
161 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4466 | $ 0.4466 |
| 10+ | $0.3663 | $ 3.6630 |
| 50+ | $0.3309 | $ 16.5450 |
| 100+ | $0.2876 | $ 28.7600 |
| 500+ | $0.2683 | $ 134.1500 |
| 1000+ | $0.2571 | $ 257.1000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N60F | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 960mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 770pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 96pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.1nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
161 Stock for Shipping Fast
161 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4466 | $ 0.4466 |
| 10+ | $0.3663 | $ 3.6630 |
| 50+ | $0.3309 | $ 16.5450 |
| 100+ | $0.2876 | $ 28.7600 |
| 500+ | $0.2683 | $ 134.1500 |
| 1000+ | $0.2571 | $ 257.1000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
