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Hangzhou Silan Microelectronics SVF6N60D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF6N60D |
| EBEE-Teilenummer | E868778 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 600V 6A 1.35Ω@10V,3A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF6N60D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.35Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 690.7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 83.6pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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