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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF4N65DTR |
| EBEE-Teilenummer | E882831 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4A 2.7Ω@10V,2A 77W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 2.7Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 533pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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