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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF4N65CAF |
| EBEE-Teilenummer | E8467748 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4A 2.3Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.3Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V;4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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