Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF4N60F |
| EBEE-Teilenummer | E828532 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 600V 4A 33W 2Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>80 Auf Lager für schnelle Lieferung
80 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2428 | $ 1.2140 |
| 50+ | $0.1892 | $ 9.4600 |
| 150+ | $0.1662 | $ 24.9300 |
| 500+ | $0.1375 | $ 68.7500 |
| 2000+ | $0.1247 | $ 249.4000 |
| 5000+ | $0.1171 | $ 585.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60F | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
80 Stock for Shipping Fast
80 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2428 | $ 1.2140 |
| 50+ | $0.1892 | $ 9.4600 |
| 150+ | $0.1662 | $ 24.9300 |
| 500+ | $0.1375 | $ 68.7500 |
| 2000+ | $0.1247 | $ 249.4000 |
| 5000+ | $0.1171 | $ 585.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
