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Hangzhou Silan Microelectronics SVF18N50PN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF18N50PN |
| EBEE-Teilenummer | E82761790 |
| Gehäuse | TO-3P |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 500V 18A 260mΩ@10V,9A 240W 4V@250uA 1 N-Channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF18N50PN | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 260mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.32nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 282pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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