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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF12N65F |
| EBEE-Teilenummer | E818781 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 640mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 156pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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