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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F(S)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVF12N65F |
| EBEE-Teilenummer | E8467745 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $0.4666 | $ 0.4666 |
| 10+ | $0.3622 | $ 3.6220 |
| 50+ | $0.3180 | $ 15.9000 |
| 100+ | $0.2626 | $ 26.2600 |
| 500+ | $0.2373 | $ 118.6500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 640mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@520V |
Einkaufsleitfaden
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