Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Hangzhou Silan Microelectronics SVDZ24NT
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVDZ24NT |
| EBEE-Teilenummer | E82761789 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 55V 17A 45mΩ@10V,10A 45W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>3650 Auf Lager für schnelle Lieferung
3650 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2600 | $ 1.3000 |
| 50+ | $0.2119 | $ 10.5950 |
| 150+ | $0.1885 | $ 28.2750 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
| 2000+ | $0.1464 | $ 292.8000 |
| 5000+ | $0.1386 | $ 693.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVDZ24NT | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 45mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 400pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
3650 Stock for Shipping Fast
3650 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2600 | $ 1.3000 |
| 50+ | $0.2119 | $ 10.5950 |
| 150+ | $0.1885 | $ 28.2750 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
| 2000+ | $0.1464 | $ 292.8000 |
| 5000+ | $0.1386 | $ 693.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
