Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SVD1055SATR |
| EBEE-Teilenummer | E82761105 |
| Gehäuse | SOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOP-8 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>6447 Auf Lager für schnelle Lieferung
6447 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3108 | $ 0.3108 |
| 10+ | $0.2746 | $ 2.7460 |
| 30+ | $0.2595 | $ 7.7850 |
| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 1000+ | $0.1992 | $ 199.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 175mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 20.5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
6447 Stock for Shipping Fast
6447 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3108 | $ 0.3108 |
| 10+ | $0.2746 | $ 2.7460 |
| 30+ | $0.2595 | $ 7.7850 |
| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 1000+ | $0.1992 | $ 199.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
