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Guangdong Hottech SI2306
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2306 |
| EBEE-Teilenummer | E8181089 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 3.16A 750mW 47mΩ@10V,3.5A 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 200+ | $0.0246 | $ 4.9200 |
| 600+ | $0.0210 | $ 12.6000 |
| 3000+ | $0.0177 | $ 53.1000 |
| 9000+ | $0.0158 | $ 142.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | Guangdong Hottech SI2306 | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 750mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 305pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.5nC@5V |
Einkaufsleitfaden
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| 600+ | $0.0210 | $ 12.6000 |
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