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Guangdong Hottech SI2305
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2305 |
| EBEE-Teilenummer | E8181088 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 12V 4.1A 90mΩ@1.8V,2A 350mW 900mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0318 | $ 0.6360 |
| 200+ | $0.0253 | $ 5.0600 |
| 600+ | $0.0216 | $ 12.9600 |
| 3000+ | $0.0190 | $ 57.0000 |
| 9000+ | $0.0171 | $ 153.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | Guangdong Hottech SI2305 | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| RDS(on) | 45mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 740pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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