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Guangdong Hottech IRLML6402
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRLML6402 |
| EBEE-Teilenummer | E82886430 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $0.0307 | $ 3.0700 |
| 300+ | $0.0268 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0230 | $ 69.0000 |
| 6000+ | $0.0207 | $ 124.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Guangdong Hottech IRLML6402 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 400mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 633pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 145pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC |
Einkaufsleitfaden
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