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GOSEMICON GBS65060TOA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GBS65060TOA |
| EBEE-Teilenummer | E87426972 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.6V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | GOSEMICON GBS65060TOA | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 55mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 329W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
Einkaufsleitfaden
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