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GOSEMICON GBS032R4PMAR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GBS032R4PMAR |
| EBEE-Teilenummer | E828324646 |
| Gehäuse | PDFN5x6-8L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
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| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | GOSEMICON GBS032R4PMAR | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.5mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 100pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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