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GOSEMICON GBS030R8TLAR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GBS030R8TLAR |
| EBEE-Teilenummer | E828324649 |
| Gehäuse | TOLL-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 130A 1.25mΩ@10V 83W 2V@250uA TOLL-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5715 | $ 0.5715 |
| 10+ | $0.4607 | $ 4.6070 |
| 30+ | $0.4053 | $ 12.1590 |
| 100+ | $0.3499 | $ 34.9900 |
| 500+ | $0.3167 | $ 158.3500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | GOSEMICON GBS030R8TLAR | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.25mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 150pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.9nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.4053 | $ 12.1590 |
| 100+ | $0.3499 | $ 34.9900 |
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