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GOFORD GT080N10K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GT080N10K |
| EBEE-Teilenummer | E82840755 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 75A 10mΩ@4.5V,50A 100W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5117 | $ 0.5117 |
| 10+ | $0.4129 | $ 4.1290 |
| 30+ | $0.3630 | $ 10.8900 |
| 100+ | $0.3130 | $ 31.3000 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | GOFORD GT080N10K | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 19pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.056nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $0.5117 | $ 0.5117 |
| 10+ | $0.4129 | $ 4.1290 |
| 30+ | $0.3630 | $ 10.8900 |
| 100+ | $0.3130 | $ 31.3000 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
