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FUXINSEMI SI01P10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI01P10 |
| EBEE-Teilenummer | E842387314 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0560 | $ 2.8000 |
| 150+ | $0.0491 | $ 7.3650 |
| 500+ | $0.0440 | $ 22.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | FUXINSEMI SI01P10 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 650mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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