10% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
FUXINSEMI FDN337N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDN337N |
| EBEE-Teilenummer | E82984752 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 2.2A 65mΩ@4.5V,2.2A 500mW 1.3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>260 Auf Lager für schnelle Lieferung
260 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | FUXINSEMI FDN337N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 65mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
260 Stock for Shipping Fast
260 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
