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Foshan Blue Rocket Elec BRD15N10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BRD15N10 |
| EBEE-Teilenummer | E8358390 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 15A 80mΩ@10V 39W 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1340 | $ 0.6700 |
| 50+ | $0.1160 | $ 5.8000 |
| 150+ | $0.1083 | $ 16.2450 |
| 500+ | $0.0986 | $ 49.3000 |
| 2500+ | $0.0943 | $ 235.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Foshan Blue Rocket Elec BRD15N10 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 90mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 35pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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