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Foshan Blue Rocket Elec BRCS80N03DP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BRCS80N03DP |
| EBEE-Teilenummer | E8914064 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 80A 7mΩ@4.5V 90W 1.7V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0933 | $ 4.6650 |
| 150+ | $0.0874 | $ 13.1100 |
| 500+ | $0.0829 | $ 41.4500 |
| 2500+ | $0.0793 | $ 198.2500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Foshan Blue Rocket Elec BRCS80N03DP | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 7mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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