| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | EV-IRFR5410-T1 |
| EBEE-Teilenummer | E841433128 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 13A 31.3W 115mΩ@4.5V,5A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2835 | $ 1.4175 |
| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
| 5000+ | $0.1582 | $ 791.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | EVVO EV-IRFR5410-T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 115mΩ@4.5V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 31.3W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.08nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2835 | $ 1.4175 |
| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
| 5000+ | $0.1582 | $ 791.0000 |
