| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | EV-IRFR3410-T1 |
| EBEE-Teilenummer | E841433130 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 30A 42W 48mΩ@10V,10A 2.2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2835 | $ 1.4175 |
| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
| 5000+ | $0.1582 | $ 791.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | EVVO EV-IRFR3410-T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 48mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 42W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 74pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1964pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20nC@80V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2835 | $ 1.4175 |
| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
| 5000+ | $0.1582 | $ 791.0000 |
