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EVVO EV-IRFR120N-T1


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
EV-IRFR120N-T1
EBEE-Teilenummer
E841433131
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
100V 9.4A 210mΩ@10V,5.6A 1.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
5+$0.1764$ 0.8820
50+$0.1432$ 7.1600
150+$0.1289$ 19.3350
500+$0.1112$ 55.6000
2500+$0.1033$ 258.2500
5000+$0.0984$ 492.0000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattEVVO EV-IRFR120N-T1
RoHS
Temperatur-55℃~+175℃
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)100V
Dauerdr.9.4A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)210mΩ@10V,5.6A
Stromableitung (Pd)1.5W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)4V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)54pF
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)330pF
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)25nC

Einkaufsleitfaden

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