| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | EV-IRF530N-T3 |
| EBEE-Teilenummer | E841433139 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 18A 59W 112mΩ@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3465 | $ 1.7325 |
| 50+ | $0.2812 | $ 14.0600 |
| 150+ | $0.2532 | $ 37.9800 |
| 500+ | $0.2183 | $ 109.1500 |
| 2500+ | $0.2027 | $ 506.7500 |
| 5000+ | $0.1934 | $ 967.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | EVVO EV-IRF530N-T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 112mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 59W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.535nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 26.2nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3465 | $ 1.7325 |
| 50+ | $0.2812 | $ 14.0600 |
| 150+ | $0.2532 | $ 37.9800 |
| 500+ | $0.2183 | $ 109.1500 |
| 2500+ | $0.2027 | $ 506.7500 |
| 5000+ | $0.1934 | $ 967.0000 |
