| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOZ30P03 |
| EBEE-Teilenummer | E836499166 |
| Gehäuse | DFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 30A 15mΩ@10V,1A 31W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0853 | $ 0.4265 |
| 50+ | $0.0697 | $ 3.4850 |
| 150+ | $0.0619 | $ 9.2850 |
| 500+ | $0.0559 | $ 27.9500 |
| 2500+ | $0.0512 | $ 128.0000 |
| 5000+ | $0.0489 | $ 244.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DOZ30P03 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 15mΩ@10V,1A | |
| Stromableitung (Pd) | 31W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.9V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 144pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.229nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 26.3nC@15V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0853 | $ 0.4265 |
| 50+ | $0.0697 | $ 3.4850 |
| 150+ | $0.0619 | $ 9.2850 |
| 500+ | $0.0559 | $ 27.9500 |
| 2500+ | $0.0512 | $ 128.0000 |
| 5000+ | $0.0489 | $ 244.5000 |
