| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD50N03 |
| EBEE-Teilenummer | E836499176 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD50N03 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 55A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 10mΩ@10V,30A | |
| Stromableitung (Pd) | 37.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 109pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 940pF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
