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DOINGTER DOD50N03


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DOD50N03
EBEE-Teilenummer
E836499176
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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MengeStückpreisGesamtpreis
10+$0.0733$ 0.7330
100+$0.0598$ 5.9800
300+$0.0531$ 15.9300
2500+$0.0481$ 120.2500
5000+$0.0439$ 219.5000
10000+$0.0420$ 420.0000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattDOINGTER DOD50N03
RoHS
Temperatur-55℃~+175℃@(Tj)
Typ1 N-Channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)30V
Dauerdr.55A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)10mΩ@10V,30A
Stromableitung (Pd)37.5W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)2.5V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)109pF@15V
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)940pF@15V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)[email protected]

Einkaufsleitfaden

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