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DOINGTER DOD30N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD30N06 |
| EBEE-Teilenummer | E836499179 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 30A 30mΩ@10V,15A 55W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD30N06 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A | |
| Stromableitung (Pd) | 55W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 45pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.05nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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