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DOINGTER DOD20N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD20N06 |
| EBEE-Teilenummer | E836499181 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 20A 36mΩ@10V,10A 31W 3V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD20N06 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 36mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 31W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 45.3pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.15nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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