| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO2302E-Q |
| EBEE-Teilenummer | E841384540 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 770mW 1V@250μA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0071 | $ 0.7100 |
| 1000+ | $0.0058 | $ 5.8000 |
| 3000+ | $0.0049 | $ 14.7000 |
| 9000+ | $0.0045 | $ 40.5000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
| 99000+ | $0.0039 | $ 386.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DO2302E-Q | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 2.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,2.8A | |
| Stromableitung (Pd) | 770mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250μA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 180pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0071 | $ 0.7100 |
| 1000+ | $0.0058 | $ 5.8000 |
| 3000+ | $0.0049 | $ 14.7000 |
| 9000+ | $0.0045 | $ 40.5000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
| 99000+ | $0.0039 | $ 386.1000 |
