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DOINGTER DO2301E-Q
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO2301E-Q |
| EBEE-Teilenummer | E841384537 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2A 125mΩ@4.5V,2A 800mW 1V@250μA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0076 | $ 0.7600 |
| 1000+ | $0.0061 | $ 6.1000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0047 | $ 42.3000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DO2301E-Q | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 125mΩ@4.5V,2A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250μA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 24pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 150pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
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