| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DI008N09SQ |
| EBEE-Teilenummer | E86601686 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 90V 8A 75mΩ@10V,5A 2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | (DIOTEC) DI008N09SQ | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 90V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 75mΩ@10V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 2W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.1nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
