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Diodes Incorporated DMTH8003SPS-13
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMTH8003SPS-13 |
| EBEE-Teilenummer | E8434455 |
| Gehäuse | PowerDI5060-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 100A 2.9W 3.9mΩ@10V,30A 4V@250uA 1 N-Channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.1739 | $ 11.7390 |
| 30+ | $1.0894 | $ 32.6820 |
| 100+ | $0.9921 | $ 99.2100 |
| 500+ | $0.9507 | $ 475.3500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Diodes Incorporated DMTH8003SPS-13 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 3.9mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.9W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.952nF | |
| Gate Charge(Qg) | 124.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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