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Diodes Incorporated DMG1012T-7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMG1012T-7 |
| EBEE-Teilenummer | E820512 |
| Gehäuse | SOT-523 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 0.63A 0.7Ω@1.8V,350mA 0.28W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-523 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Diodes Incorporated DMG1012T-7 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 300mΩ@4.5V;400mΩ@2.5V;500mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 630mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 60.67pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 9.68pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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