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BORN SI2333
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2333 |
| EBEE-Teilenummer | E8344008 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 12V 5.1A 1.25W 28mΩ@4.5V,5.1A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0632 | $ 0.6320 |
| 100+ | $0.0540 | $ 5.4000 |
| 300+ | $0.0494 | $ 14.8200 |
| 3000+ | $0.0365 | $ 109.5000 |
| 6000+ | $0.0337 | $ 202.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BORN SI2333 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 59mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF |
Einkaufsleitfaden
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