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BORN SI2309S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2309S |
| EBEE-Teilenummer | E82997263 |
| Gehäuse | SOT-23-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 1.4W 200mΩ@4.5V,1.4A 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0486 | $ 0.4860 |
| 100+ | $0.0431 | $ 4.3100 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0342 | $ 102.6000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
| 9000+ | $0.0317 | $ 285.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BORN SI2309S | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 215mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 364pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 41pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.3nC@0V |
Einkaufsleitfaden
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| 100+ | $0.0431 | $ 4.3100 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0342 | $ 102.6000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
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