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BORN SI2301S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2301S |
| EBEE-Teilenummer | E8431492 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2.3A 140mΩ@3.3V,1A 1W 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0280 | $ 0.2800 |
| 100+ | $0.0215 | $ 2.1500 |
| 300+ | $0.0180 | $ 5.4000 |
| 3000+ | $0.0157 | $ 47.1000 |
| 6000+ | $0.0138 | $ 82.8000 |
| 9000+ | $0.0128 | $ 115.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BORN SI2301S | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 140mΩ@3.3V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 400mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 177pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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